3 puissance faible F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 de module d'inverseur de la phase IGBT

F3L75R12W1H3_B27        SP001056132     Infineon   Module d'IGBT PUISSANCE FACILE

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : inverseur triphasé
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,45 V
Courant de collecteur continu 25 C : 45 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 275 W
Paquet/boîte : EasyPack1B
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Série : IGBT grande vitesse H3
Quantité de emballage : 24 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

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