1,2 paquet FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 des modules 6 de la puissance faible IGBT de kilovolt

Number modèle:FS100R12W2T7BOMA1
Point d'origine:L'Allemagne
Quantité d'ordre minimum:1pcs
Conditions de paiement:L/C, T/T
Capacité d'approvisionnement:500 PCS+48hours
Délai de livraison:48hours
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 4513, bloc C, bâtiment de CEIEC, Huaqiang Rd du nord, secteur de Futian, Shenzhen, Guangdong, Chine 518031
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Détails du produit

 

FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618   Infineon    Module d'IGBT PUISSANCE FACILE

 

FS100R12W2T7

 

 

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : 6-Pack
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,5 V
Courant de collecteur continu 25 C : 70 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : -
La température fonctionnante minimum : - 40 C
Température de fonctionnement maximum : + 175 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bti de chssis
Série : Trenchstop IGBT7
Quantité de emballage : 15 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

 

 

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1,2 paquet FS100R12W2T7BOMA1 SP005351618 des modules 6 de la puissance faible IGBT de kilovolt

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