DMN26D0UFB4-7 Diodes Mosfet Mode d'amélioration Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

Numéro de modèle:DMN26D0UFB4-7
Lieu d'origine:UAS
Quantité minimale de commande:1 pièces
Conditions de paiement:T/T, L/C
Capacité à fournir:300000 PCS + 48 heures
Délai de livraison:24-72hours
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse: Pièce 4513, bloc C, bâtiment de CEIEC, Huaqiang Rd du nord, secteur de Futian, Shenzhen, Guangdong, Chine 518031
dernière connexion fois fournisseur: dans 19 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

 

Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal :

Le numéro de téléphone est le numéro de téléphone de l'entreprise.

 

 

Fabricant: Diodes Incorporated
Catégorie du produit: MOSFET
Technologie: Si
Mode d'installation: SMD/SMT
Le produit doit être présenté dans la boîte.
Polarité du transistor: N-canal
Nombre de chaînes: 1
Voltage de rupture de la source de vidange VDS: 20 V
Id courant de vidange continu: 240 mA
Rds Résistance la source de dégagement: 3 Ohms
Vgs - tension de la porte de sortie: - 12 V, + 12 V
Vgs threshold voltage de la source de sortie: 600 mV
Charge de la porte Qg: -
Température minimale de fonctionnement: - 55 °C
Température de fonctionnement maximale: +150 C
Pd-déperdition de puissance: 350 mW
Mode de diffusion: amélioration
Série: DMN26
Emballage: rouleau
Configuration: unique
Temps de chute: 15,2 ns
Transconductivité vers l'avant - minimum 180 mS
Temps de montée: 7,9 ns
Quantité d'emballage: 3000 pièces
Type de transistor: 1 canal N
Temps de retard d'arrêt typique: 13,4 ns
Temps de retard typique: 3,8 ns
Unité de poids: 1 mg

 

 

 

 

China DMN26D0UFB4-7 Diodes Mosfet Mode d'amélioration Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006 supplier

DMN26D0UFB4-7 Diodes Mosfet Mode d'amélioration Mosfet 20V N-Chan X2-DFN1006

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