SIR882ADP-T1-GE3

Category:Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:-
Vgs(th) (Max) @ Id:2.8V @ 250µA
Operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:PowerPAK® SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:60 nC @ 10 V
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit
Mots clés du produit:
China SIR882ADP-T1-GE3 supplier

SIR882ADP-T1-GE3

Inquiry Cart 0