IXGH20N120A3

Gate-Emitter Leakage Current ::100 nA
Product Category ::IGBT Transistors
Mounting Style ::Through Hole
Continuous Collector Current at 25 C ::40 A
Pd - Power Dissipation ::180 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max ::1.2 kV
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit
China IXGH20N120A3 supplier

IXGH20N120A3

Inquiry Cart 0