Représentation de changement de dissipation de haute qualité de puissance faible de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF1407STRLPBF excellente

Number modèle:IRF1407STRLPBF
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Représentation de changement de dissipation de haute qualité de puissance faible de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF1407STRLPBF excellente

 

 

 

Caractéristiques du produit :

• Basse sur-résistance
• Capacité de courant de pointe élevée
• Basse charge de porte
• Tension claque élevée
• Basse capacité d'entrée et sortie
• Vitesse de changement rapide
• Tension très réduite de seuil
• RoHS conforme
• AEC-Q101 a qualifié

 

Spécifications techniques :

• Type de transistor : Transistor MOSFET
• Vidangez la tension de source (Vds) : 60V
• Porte la tension de source (Vgs) : ±20V
• Vidangez le courant (identification) : 6A
• Courant continu de drain (identification) : 2.5A
• Sur-résistance (Rdson) : 0,07 Ω
• Dissipation de puissance (palladium) : 4.2W
• Température de fonctionnement : -55°C 150°C

 

 


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