Solution de l'électronique de puissance de rendement élevé de puissance élevée de transistor MOSFET d'IRF5803TRPBF

TRANSISTOR MOSFET D'IRF5803TRPBF

Solution de l'électronique de puissance de rendement élevé de puissance élevée

Paramètres :

• Paquet : TO-220
• Technologie : N-canal
• Polarité : Type d'amélioration
• Tension de Drain-source (Vds) : 100 V
• Tension de Porte-source (Vgs) : 10 V
• Courant continu de drain (identification) : 8 A
• Résistance de Sur-état de Drain-source (le RDS) : 0,06 ohms
• La température de jonction maximum (Tj) : 150°C
• Dissipation de puissance (palladium) : 14 W
• Montage du type : Par le trou
• Nombre d'éléments : 1
• Température de fonctionnement : -55°C 150°C
• Temps de chute (tf) : 0,1 nous
• Temps de montée (TR) : 0,1 nous
• Capacité de Drain-source (Cd) : -
• Marque : Forces de réaction immédiate

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