SIHW30N60E-GE3 transistor MOSFET de la Manche de la haute performance 30A 600V N pour l'électronique de puissance

Haute SIHW30N60E-GE3

Transistor MOSFET de la Manche de la représentation 30A 600V N pour l'électronique de puissance

Caractéristiques du produit :

Commutation hauteur de vitesse
- Basse charge de porte
- Basse Sur-résistance
- Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
- Excellent produit de la charge X le RDS de porte (dessus)

Spécifications techniques :

- Tension de Drain-source : 600V
- Continu vidangez le courant : 30A
- Pulsé vidangez actuel : 175A
- Résistance de Sur-état : 0,0665 Ω
- Tension maximum de seuil de porte : 4V
- Tension maximum de Porte-source : 20V
- Résistance maximum de Sur-état de source de drain : 0,0665 Ω
- Type de paquet : TO-220-3
- Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 175°C

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