Transistor de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFR1018ETRPBF pour les applications de changement à haute efficacité

Voici une liste de descriptions de produit pour le transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFR1018ETRPBF :

1. Commutation haute efficacité : Ce transistor de transistor MOSFET est conçu pour l'usage dans les applications de changement haute efficacité, le rendant idéal pour l'usage dans des alimentations d'énergie et d'autres appareils électroniques.
2. Le bas RDS (dessus) : Avec une basse sur-résistance (le RDS (dessus)) juste de 10mOhms, ce transistor offre de basses pertes de conduction et rendement élevé.
3. Conception robuste : L'IRFR1018ETRPBF comporte une conception rocailleuse et fiable qui est capable de résister des hauts niveaux de contrainte électrique et thermique.
4. Vitesse de changement rapide : La vitesse de changement rapide de ce transistor s'assure qu'elle peut répondre rapidement aux changements des signaux d'entrée, la rendant idéale pour l'usage dans les applications qui exigent la commutation rapide.
5. Paquet extérieur de bti : Ce transistor est logé dans un paquet extérieur de bti, le rendant facile intégrer dans un grand choix de conceptions électroniques.
6. Basse charge de porte : Avec une basse charge de porte juste de 27nC, ce transistor peut être conduit facilement par une gamme des circuits d'entraînement de porte.
7. Gamme hautes températures : L'IRFR1018ETRPBF peut fonctionner aux températures jusqu' 175°C, la rendant appropriée pour l'usage dans les environnements hautes températures.
8. Sans plomb et RoHS conformes : Ce transistor est sans plomb et RoHS conforme, le rendant favorable l'environnement et sûr pour employer dans un grand choix d'applications.

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