Le bas de puissance élevée de transistor MOSFET d'IXTQ130N10T sur la résistance et basse tension de seuil de porte pour des performances optimales

Puissance élevée de transistor MOSFET d'IXTQ130N10T

Bas sur la résistance et la basse tension de seuil de porte pour des performances optimales

Caractéristiques du produit :

- Transistor MOSFET de N-canal
- Tension : 100V
- Le RDS (dessus) : 0,01 ohms
- Identification : 130A
- Paquet : TO-247

Description de produit :

L'IXYS IXTQ130N10T est un transistor MOSFET de N-canal avec une tension maximum de source de drain de 100V et un courant maximum de drain de 130A. Ce dispositif offre un bas RDS (dessus) de 0,01 ohms et est logé dans un paquet TO-247. Il est conçu pour l'usage dans diverses applications telles que le contrôle de moteur, la gestion de puissance, et d'autres applications d'alimentation d'énergie.

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