Le bas à haute tension de rendement élevé de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF3703PBF sur la résistance

Number modèle:IRF3703PBF
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET des forces de réaction immédiate 3703 PBF

Le bas haute tension de rendement élevé sur la résistance

 

 

L'IRF3703PBF est une haute performance, la basse sur-résistance, transistor MOSFET de N-canal de redresseur international. Il utilise la dernière rayure planaire avancée et la technologie de DMOS pour fournir le RDS amélioré (dessus). Ce dispositif convient pour l'usage dans des demandes de changement, en particulier de basse commutation latérale, où la commutation rapide et la basse commande de porte sont exigées.

 

 

Caractéristiques :

 

• Basse sur-résistance : Le RDS (dessus) = 0.08Ω

• Rayure planaire avancée et technologie de DMOS

• Basse commande de porte : VGS (Th) = 3V

• Commutation haute fréquence

• Approprié de basses applications de changement latérales

• sans Pb, paquet conforme de RoHS

• Gamme de température de fonctionnement : -55°C +150°C

 

 

 

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