L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFB3006GPBF 60V 30A 170W pour des applications à forte intensité

Puissance de transistor MOSFET d'IRFB 3006 GPBF

L'électronique 60V 30A 170W pour des applications forte intensité

Paramètres :

- Tension de Drain-source (Vdss) : 60V - tension de Porte-source (Vgs) : ±20V - courant continu de drain (identification) : 30 - un courant pulsé de drain (Idm) : 60A - le RDS (dessus) : 0,019 Ω - capacité d'entrée (Ciss) : 4200 PF - dissipation de puissance (palladium) : 7,2 W - opération et température de stockage : -55 ℃ +150au℃ - paquet : TO-220AB

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