Dispositif de l'électronique de puissance de haute performance de transistor MOSFET d'IRFR7446TRPBF pour l'efficacité maximum

Number modèle:IRFR7446TRPBF
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Haute de transistor MOSFET d'IRFR 7446 TRPBF

Dispositif de l'électronique de puissance de représentation pour l'efficacité maximum

 

Caractéristiques :

 

• transistor MOSFET du N-canal 100V
• Basse Sur-résistance
• Basse tension de seuil de porte
• Basse capacité de sortie
• Énergie élevée d'avalanche
• Commutation ultra-rapide
• Finition sans plomb/RoHS conforme
• Halogène et antimoine libres. Dispositif « vert » (note 1)
• Disponible dans un paquet TO-220

 

Capacités absolues :

 

• Tension de Drain-source : 100V
• Tension de Porte-source : ±20V
• Vidangez actuel : 16A
• Dissipation de puissance : 60W
• Température ambiante fonctionnante de jonction : -55°C +150°C
• Température ambiante de température de stockage : -55°C +150°C
• La température d'avance (soudure, 10sec) : 260°C

 

Caractéristiques thermiques :


• Jonction--cas de résistance thermique (RθJC) : 0.75°C/W
• Résistance thermique Jonction--ambiante (RθJA) : 40°C/W

Caractéristiques électriques ( 25

 

 

 

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