Le bas de basse tension de haute performance de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRL8113PBF sur le commutateur de résistance

Puissance de transistor MOSFET de l'IRL 8113 PBF

Le bas de basse tension de haute performance de l'électronique sur le commutateur de résistance

IRL8113PBF est un transistor MOSFET conçu pour des applications de changement de puissance efficace et fiable. Il est optimisé pour la basse sur-résistance et la basse charge de porte, la rendant appropriée un large éventail d'applications.

Paramètres :

• Tension de Drain-source : 100V

• Courant continu de drain : 10A

• Sur-résistance de Drain-source : 0.090Ω

• Charge de porte : 12nC

• Capacité d'entrée : 700pF

• Température de fonctionnement : -55°C +150°C

• Montage du type : Par le trou

• Paquet/cas : TO-264-3

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