L'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRFH5210TRPBF 50V maximum 200A le RDS (dessus) 0.0062Ω

Description de produit :

Le transistor MOSFET d'IRFB20N50KPBF est un transistor MOSFET de basse tension et ultra-rapide de puissance avec une tension claque de 500V. Il a une basse sur-résistance du mΩ 20 et une tension de drain-source de 500V. Il comporte la dissipation de puissance élevée, la basse charge de porte, et la basse capacité. Le transistor MOSFET convient pour l'usage dans des applications de changement.

Caractéristiques :

• Tension claque : 500V
• Tension de Drain-source : 500V
• Tension de Porte-source : ± 20V
• Sur-résistance (le RDS) : mΩ 20
• Courant maximum de drain : 7.8A
• Dissipation de puissance (palladium) : 8.3W
• Basse charge de porte
• Basse capacité
• Approprié pour l'usage dans des applications de changement

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