Électronique de puissance MOSFET IPP65R190CFD FET hautes performances à haut rendement pour une alimentation améliorée

Électronique de puissance MOSFET IPP65R190CFD FET hautes performances haut rendement pour une alimentation améliorée

Nous sommes fiers de présenter le MOSFET IPP65R190CFD, un dispositif de puissance avancé avec les caractéristiques suivantes :

-Tension de source de drain maximale (Vdss): 650V
- Courant de drain maximal (Id) : 190 A
- RDS (activé) : 0,66 mΩ
- Courant de drain pulsé (Idm) : 378 A
-Tension de source de porte maximale (Vgss): 20V
- Courant de fuite de drain de grille maximal (Id) : 100 nA
- Dissipation de puissance maximale (Pd) : 550 W
- Colis : TO-247

Pourquoi acheter chez nous >>> Rapide / En toute sécurité / Pratique

• SKL est un actionnaire et une société commerciale de composants électroniques. Nos succursales comprennent la Chine, Hong Kong, Sigapore, Canada.Offrez des affaires, des services, des ressources et des informations notre membre mondial.
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