L'électronique de puissance performante de transistor MOSFET de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLR3114ZTRPBF pour la commutation et l'efficacité fiables

Liste de produit :

TRANSISTOR MOSFET D'IRLR3114ZTRPBF

Paramètres :

• Tension de Drain-source (Vdss) : 30V
• Tension de Porte-source (Vgs) : ±20V
• Vidangez le courant (identification) : 5.4A (Tc=25°C)
• Courant continu de drain (identification) : 4.4A (Tc=100°C)
• Le RDS (dessus) : 0.076Ω (Vgs=10V)
• Dissipation de puissance maximum (palladium) : 11W (Tc=25°C)
• Température de fonctionnement : -55°C +175°C
• Montage du type : Par le trou

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