Transistor d'alimentation d'énergie de transistor MOSFET d'IRLML6402TRPBF Basse Sur-résistance de haute performance

Sur-résistance de haute performance de transistor d'alimentation d'énergie de transistor MOSFET d'IRLML6402TRPBF basse

Paramètres :

VDS : -20V

Le RDS (dessus) : 0.0045Ω

Identification : 3.2A

Paquet : SOT-23

Polarité : P-canal

Montage du type : Bti extérieur

Configuration : Simple

Tension de seuil : 2.2V

Température de fonctionnement maximum : +150°C

Température de fonctionnement minimum : -55°C

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