Commutation rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLML6302TRPBF avec la basse Sur-résistance pour l'efficacité maximum

Commutation rapide de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRLML6302TRPBF avec la basse Sur-résistance pour l'efficacité maximum

Caractéristiques du produit :

• Basse Sur-résistance : 2.6mΩ (VGS = 10 V)
• Commutation ultra-rapide : tonne = 7.0ns (VGS = 10 V)
• Basse capacité d'entrée : CISS = 21pF (VGS = 10 V)
• Énergie élevée d'avalanche : EAS = 5.8mJ (VGS = 10 V)
• Sans plomb/RoHS conforme
• Halogène libre/vert
• 100% UIL examiné
• Paquet : SOT-23
• Tension maximum de source de drain (VDSS) : 100V
• Tension de source de porte maximum (VGSS) : ±20V
• Courant continu maximum de drain (identification) : 0.6A
• Dissipation de puissance maximum (palladium) : 590mW

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