Transistor de basse tension de haute puissance de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

Number modèle:IPD60R180P7SAUMA1
Point d'origine:Multi-origine
Quantité d'ordre minimum:1
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Shenzhen China
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Ce transistor du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 d'Infineon est un transistor MOSFET de puissance de N-canal

 

conçu pour l'usage dans la rectification synchrone haute efficacité et les applications de changement haute tension. Ce transistor MOSFET a un RDS (dessus) de 0.0015Ω, d'une identification de 60A et d'une estimation d'énergie d'avalanche de 8mJ.

 

Fonctionnalités clé :

 

• Transistor MOSFET de puissance de N-canal
• Le RDS (dessus) de 0.0015Ω
• Identification de 60A
• Estimation d'énergie d'avalanche de 8mJ
• RoHS conforme
• Sans Pb

 

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China Transistor de basse tension de haute puissance de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1 supplier

Transistor de basse tension de haute puissance de rendement élevé de l'électronique de puissance du transistor MOSFET IPD60R180P7SAUMA1

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