Commutation de rendement élevé de Vce de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 basse (s'est reposé)

Commutation de rendement élevé de Vce de haute performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 basse (s'est reposé)

Description : Le transistor MOSFET SIR466DP-T1-GE3 est un transistor MOSFET haute tension de N-canal conçu pour fournir l'efficacité maximum dans un large éventail d'applications. Il comporte une basse sur-résistance de 4,0 ohms, la basse charge de porte de 8,7 OR, et une capacité de manipulation forte intensité de 30A. Le paquet large de corps fournit la représentation et la fiabilité thermiques améliorées.

Caractéristiques :
- Basse Sur-résistance : 4,0 ohms
- Basse charge de porte : 8,7 OR
- Manipulation forte intensité : 30A
- Paquet large de corps pour la représentation et la fiabilité thermiques améliorées

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