Commutation de puissance élevée de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF730PBF à de basses pertes

Commutation de puissance élevée de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IRF730PBF de basses pertes

Description :

L'IRF730PBF est un transistor MOSFET de changement rapide de puissance de N-canal conçu pour des applications de changement ultra-rapides. Il comporte la basse charge de porte, la basse sur-résistance, et la capacité de manipulation forte intensité.

Paramètres :

- Tension de Drain-source (Vdss) : 500V
- Continu vidangez le courant (identification) : 10A
- Le RDS (dessus) : 0,03 Ω
- Tension de Porte-source (Vgs) : ±20V
Dissipation puissance (palladium) : 30W
- Impédance thermique passagère maximum (j-c de Zth) : 2,1 °C/W
- Opération et température ambiante de température de stockage : -55°C 175°C
- Paquet : TO-220AB

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