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Transistor MOSFET de puissance élevée d'IRFB3306PBF pour des applications de l'électronique de puissance
Transistor MOSFET de puissance d'IRFB3306PBF
Paramètres :
VDS - 100V
Identification - 30A
Le RDS (dessus) - 0,0088 ohms
Fabricant : Redresseur international
Type de paquet : TO-220
Tension maximum de seuil de porte : 4V
Tension maximum de source de drain : 100V
Courant maximum de drain : 30A
Dissipation de puissance maximum : 13W
Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 150°C
Montage du type : Par le trou
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