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Fairchild BSC054N04NSG MOSFET Électronique de puissance Solutions hautes performances et fiables
Nom du produit : MOSFET canal N BSC054N04NSG
Fonction : Ce MOSFET canal N est un MOSFET haute densité faible RDS(on) idéal pour les applications de commutation.
Paquet : SOT-23
Tension drain-source (VDS) : 40 V
Tension porte-source (VGS) : ±20 V
Courant de drain continu (ID) : -0,54 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)): 2.6mΩ
Temps de montée (tr) : 0,8 ns
Temps de chute (tf) : 0,8 ns
Dissipation de puissance maximale (PD) : 1,2 W
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électroniques. Nos succursales comprennent la Chine, Hong Kong,
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