Électronique de puissance MOSFET hautes performances IPW60R070C6 pour une efficacité et une fiabilité optimales

Électronique de puissance MOSFET hautes performances IPW60R070C6 pour une efficacité et une fiabilité optimales

Description du produit:

L'IPW60R070C6 est un MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N.Ce dispositif est conçu pour résister de fortes énergies dans les modes avalanche et commutation.Il est particulièrement adapté aux applications de commutation haute tension et haute vitesse.

Spécifications du produit:

• tension drain-source : 60 V
• courant de drain : 70 A
• résistance l'état passant drain-source : 0,065 Ω
• tension grille-source : ±20 V
• puissance dissipée : 270 W
• plage de température de fonctionnement : -55 °C 150 °C
• plage de température de stockage : -55 °C 150 °C

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