Électronique de puissance MOSFET haute performance IPW60R045CP pour une efficacité optimale

Number modèle:IPW60R045CP
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Électronique de puissance MOSFET haute performance IPW60R045CP pour une efficacité optimale


IPW60R045CP - MOSFET canal N

Paramètres:

• Tension drain-source : 60 V
• Courant de drain continu : 45 A
• Dissipation de puissance : 197 W
• Tension porte-source : ± 20 V
• Résistance drain-source l'état passant : 0,022 Ω
• Température de fonctionnement : -55 °C 175 °C
• Style de montage : trou traversant


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