IRLML0100TRPBF MOSFET Haute Performance Haute Efficacité Faible RDS(ON) Électronique de Puissance

IRLML0100TRPBF Électronique de puissance MOSFET haute performance haute efficacité faible RDS(ON)

Liste de produits :

MOSFET IRLML0100TRPBF

Description du produit:
Il s'agit d'un MOSFET de puissance canal N conçu pour les applications de commutation basse tension et courant élevé.Il est conçu pour être utilisé dans des applications telles que les amplificateurs audio, les convertisseurs CC-CC, les pilotes de moteur CC, la gestion de la batterie et les circuits de gestion de l'alimentation.

Caractéristiques:
- RDS faible résistance (on): 0.0075Ω @ VGS = 10V
- Courant de drain maximal : 6,5 A
-Tension maximale de la source de vidange : 30 V
- Tension de seuil de porte maximale : 4 V
- Température maximale de jonction de fonctionnement : 175 °C
- Classement MSL : MSL1
- Type de colis : SOT-23

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