Transistor MOSFET de puissance d'IRF4104SPBF : Basse Sur-résistance de haute performance Commutation à grande vitesse

Liste de produit : Caractéristiques de transistor MOSFET de puissance des forces de réaction immédiate 4104 SPBF :

• Tension maximum de source de drain (Vdss) : 100V • Le RDS (dessus) : 0,070 ohms • Courant continu de drain : 30A • Courant pulsé de drain : 60A • Tension de seuil de porte (Vgs) : 2,0 V • Chaîne de température de fonctionnement : -55 °C +au°C175 • Montage du type : Par le trou • Type de transistor : N-canal de transistor MOSFET • Dissipation de puissance : 75W • Tension - approvisionnement : - • Charge de porte : 75OR • Caractéristique de FET : Norme • Catalogue dynamique : Transistor MOSFET

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