Solution performante de l'électronique de puissance de transistor MOSFET d'IPW65R110CFD pour le contrôle d'automation

Solution performantede l'électronique de puissancede transistor MOSFET d'IPW 65R110CFD pour le contrôle d'automation

Transistor MOSFET de puissance de N-canal d'IPW65R110CFD

Description de produit :

Le transistor MOSFET de puissance de N-canal d'IPW65R110CFD est un ultra-rapide, dispositif de bas-perte conçu pour l'usage dans des applications de gestion de puissance où une basse sur-résistance est désirée. Ce transistor MOSFET comporte un conducteur intégré de porte, qui fournit une solution de changement rapide et robuste. Avec son bas RDS (dessus) et des capacités de manipulation actuelles du côté haut, l'IPW65R110CFD est idéal pour un large éventail d'applications.

Caractéristiques du produit :

• Commutation ultra-rapide
• Basse Sur-résistance
• Conducteur intégré de porte
• Capacité de manipulation actuelle du côté haut
• RoHS conforme

Spécifications produit :

• Tension de Drain-source (VDS) : 30V
• Tension de Porte-source (VGS) : ±20V
• Courant continu de drain (identification) : 110A
• Sur-résistance de Drain-source (le RDS (dessus)) : 0.0065Ω
• Paquet : TO-252 (D-PAK)
• Température de fonctionnement : -55°C 150°C

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