SI5855CDC-T1-E3 : L'électronique de puissance à forte intensité de transistor MOSFET pour la représentation fiable

Liste de produit :

Nom de produit : SI5855CDC-T1-E3
Type de produit : Transistor MOSFET
Configuration : Simple
Vidangez la tension de source (Vdss) : 55V
Porte la tension de source (Vgss) : ±20V
Courant continu de drain (identification) : 4A
Dissipation de puissance maximum (palladium) : 1.5W
Le RDS (dessus) : 0.05Ω
Assortiment du RDS (dessus) : 2mΩ
Chaîne de température de fonctionnement : -55°C +150°C
La température de jonction maximum (Tj) : °C 175

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