MOSFET d'amélioration de canal N AO6601 60V pour les applications d'électronique de puissance

AO6601 Électronique de puissance MOSFET canal N 30 V

Caractéristiques:

- MOSFET canal N 30 V pour une meilleure efficacité énergétique et une commutation courant élevé
- Faible résistance l'état passant pour une faible perte de puissance
- Faible charge de grille pour des performances de commutation améliorées
- Protection ESD interne pour une meilleure fiabilité
- Conforme RoHS

Caractéristiques:

- Tension drain-source : 30V
-Tension porte-source (max): ± 20 V
- Courant de vidange : -20 A
- Courant de drain continu (Tc = 25 ℃): -18A
- Résistance drain-source (Vgs=10V): 0.0055Ω
-Capacité d'entrée (Vds=25V, f=1MHz): 135pF
- Température de fonctionnement : -55°C +150°C
- Température de stockage : -55°C +150°C

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