Le transistor MOSFET de puissance élevée de LND150K1-G a avancé des FETs d'applications de l'électronique de puissance

LND 150K1- le transistor MOSFET de puissance élevée de G a avancé des FETs d'applications de l'électronique de puissance

Transistor MOSFET de puissance de LND150K1-G

Description de produit :

Le transistor MOSFET de puissance de LND150K1-G est un dispositif performant conçu pour fournir la représentation de changement supérieure et la basse résistance de sur-état. Il est conçu pour répondre aux exigences des applications de puissance élevée telles que des convertisseurs de DC-DC, des contrôleurs de moteur et des systèmes de gestion de puissance. Le dispositif comporte une tension de bas-seuil qui tient compte d'un rendement plus élevé dans ces applications. Il comporte également une basse charge de porte, une basse capacité de porte-source, et une diode intégrée de rapide-récupération pour la fiabilité améliorée.

Paramètres de produit :

• Tension de Drain-source : 600V
• Tension de Porte-source : ± 20V
• Vidangez actuel : 150A
• Résistance de Sur-état : 0.0025Ω
• Tension de seuil : 2.5V
• Dissipation de puissance : 350W
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 175°C

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