Commutation à grande vitesse de N-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de DN3545N3-G bas sur la résistance

DN3545 N3- commutation grande vitesse de N-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de G bas sur la résistance

Description de produit :

L'électronique de puissance de transistor MOSFET de DN3545N3-G des diodes Incorporated est un choix parfait pour des applications de changement de puissance du côté haut. Ce dispositif inclut un conducteur intégré de porte, aussi bien qu'une diode interne de corps pour la protection actuelle inverse. Il soutient une basse tension de porte--source avec une sur-résistance très basse de 3.5mΩ, la rendant idéale pour des applications exigeant la commutation efficace de puissance.

Paramètres de produit :

• Paquet : DPAK

• Tension maximum de source de drain : 35V
• Tension de source de porte maximum : ±20V
• Courant maximum de drain : 45A
• Vidangez la source sur la résistance : 3.5mΩ
• Chaîne de température de fonctionnement : -55°C +150°C

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