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Solutionfiabledehauteperformancede l'électroniquedetransistor MOSFETdepuissancede TN2124K1-G
Liste de produit :
L'électronique de puissance de transistor MOSFET de TN2124K1-G
Description :
Le TN2124K1-G est un dispositif de l'électronique de puissance de transistor MOSFET avec une basse sur-résistance et une basse charge de porte. Il est idéal pour des applications de conversion de puissance telles que des inverseurs et des convertisseurs de DC/DC. Il comporte une basse tension de seuil, une vitesse rapidement de changement, et une excellente représentation thermique.
Paramètres :
- Tension de Drain-source : 100V
- Tension de Porte-source : ±20V
- Sur-résistance statique de Drain-source : 9.5mΩ
- Courant continu maximum de drain : 15A
- La température de jonction fonctionnante : -55°C | 150°C
- Dissipation de puissance maximum : 0.95W
- Emballage : TO-252-3L
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composants électroniques. Notre succursale incluent la Chine, Hong
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