Solution fiable de haute performance de l'électronique de transistor MOSFET de puissance de TN2124K1-G

Number modèle:TN2124K1-G
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Solutionfiabledehauteperformancede l'électroniquedetransistor MOSFETdepuissancede TN2124K1-G

 

 

 

Liste de produit :

 

L'électronique de puissance de transistor MOSFET de TN2124K1-G

 

 

Description :

 

Le TN2124K1-G est un dispositif de l'électronique de puissance de transistor MOSFET avec une basse sur-résistance et une basse charge de porte. Il est idéal pour des applications de conversion de puissance telles que des inverseurs et des convertisseurs de DC/DC. Il comporte une basse tension de seuil, une vitesse rapidement de changement, et une excellente représentation thermique.

 

 

 

Paramètres :


- Tension de Drain-source : 100V
- Tension de Porte-source : ±20V
- Sur-résistance statique de Drain-source : 9.5mΩ
- Courant continu maximum de drain : 15A
- La température de jonction fonctionnante : -55°C | 150°C
- Dissipation de puissance maximum : 0.95W
- Emballage : TO-252-3L

 

 


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