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NTR 5198 AVANT la 1 électronique de puissance de transistor MOSFET deG
Applications de haute performance de transistor du paquet TO-236-3
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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4.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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155mOhm @ 1A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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2.5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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2,8 OR @ 4,5 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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182 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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900mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquet/cas
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Ce NTR 5198 AVANT la 1 électronique de puissance de transistor MOSFET deG est des 3- paquet de la goupille TO-236-3. Il offre le rendement élevé et la basse sur-résistance tout en fonctionnant à une basse tension. Il convient aux applications telles que des commutateurs électriques, des conducteurs de moteur et des conducteurs de solénoïde. Ce dispositif a une tension claque élevée de 30V, qui fournit un de plus haut niveau de la protection pour le système. Il a également une charge optimisée de porte pour la perte réduite de conduction et la représentation de changement améliorée. Le dispositif est un transistor MOSFET de N-canal optimisé pour des applications de changement de basse tension. C'est RoHS conforme et est offert dans un paquet sans plomb. Ce dispositif est idéal pour la commutation à haute fréquence et peut actionner aux fréquences jusqu'à 10mégahertz.
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