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L'électronique de puissance du transistor MOSFET FDD2572
Le bas de haute qualité de fiabilité du transistor TO-252-3 sur la résistance actionnant au loin la tension
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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6V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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54mOhm @ 9A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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34 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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1770 PF @ 25 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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135W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 175°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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TO-252AA
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Paquet/cas
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Le FDD 2572 est un transistor MOSFET à haute tension et à forte intensité de puissance dans un paquet TO-252-3. Il a une tension claque de drain-source de 100V et un courant continu de drain de 25A. C'est un choix idéal pour mettre en application des applications de changement de haute puissance telles que la commutation à haute fréquence et le contrôle de vitesse de moteur. Le FDD 2572 est équipé d'une basse sur-résistance et d'une basse tension de porte-seuil, qui tient compte de la perte de puissance réduite et de l'efficacité améliorée. Il comporte également une vitesse de changement rapide et une basse charge de porte, qui des aides réduire commuter le temps et améliorer des performances système. En outre, c'est RoHS conforme et vient avec une protection intégrée contre l'inverse-polarisation et la décharge électrostatique. Le FDD 2572 est un choix idéal pour l'exécution des applications de changement de haute puissance dans diverses industries.
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