Technologie avancée fortement fiable de paquet de dispositif de semi-conducteur de performance de l'électronique de puissance du transistor MOSFET FDMS86101 haute

L'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDMS 86101

Haute technologie avancée fortement fiable de paquet de dispositif de semi-conducteur de performance

Le FDMS 86101 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal conçu pour l'usage dans des applications de changement de puissance élevée. Il est construit utilisant la dernière technologie transformatrice de transistor MOSFET de puissance, fournissant la basse résistance de sur-état, la vitesse haut de changement et la capacité à hautes températures de fonctionnement. Le FDMS 86101 est logé dans un paquet de profil bas, lui faisant un choix approprié pour des applications contraintes parespace. Le transistor MOSFET comporte la basse capacité d'entrée, le rendant approprié aux applications de changement à haute fréquence. Avec sa construction rocailleuse et basse charge de porte, le FDMS 86101 est un choix idéal pour des applications telles que des convertisseurs de la puissance élevée DC-DC, des systèmes à piles de puissance élevée, et des systèmes de contrôle de moteur de puissance élevée.

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