Performances optimales de haute qualité de caractéristiques avancées de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDMC86520L
Number modèle:FDMC86520L
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Performances optimales de haute qualité de caractéristiques avancées de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de FDMC86520L
Type de FET | ||
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 7.9mOhm @ 13.5A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 64 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 4550 PF @ 30 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.3W (merci), 40W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) | |
Paquet/cas |
Le FDMC86520L est un appareil électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de haute performance conçu pour fournir la fiabilité maximum et l'efficacité dans un large éventail d'applications. Ce dispositif comporte une structure de basse tension avancée de fossé et une basse résistance de sur-état pour augmenter la dissipation d'efficacité et de puissance. Sa basse charge de porte et basse tension de seuil la rendre idéale pour des applications haute fréquence.
Le dispositif est disponible dans un petit paquet de facteur de forme, le rendant idéal pour des applications espace-contraintes. Il est également RoHS-conforme et comporte une estimation hautes températures pour la fiabilité accrue. Ce dispositif convient pour l'usage dans un grand choix d'applications, y compris les alimentations d'énergie de changement, les convertisseurs haute efficacité de DC-DC, et le contrôle de moteur.
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