Transistor électronique de puissance MOSFET NTHD3101FT1G 8-SMD pour les applications de commutation haute fréquence
Number modèle:NTHD3101FT1G
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Shenzhen China
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Détails du produit
NED3101FT1g8-SMDMSEFHEPouvoirÉlectroniqueTransistorpourHaut-FfréquenceChangeringApplications
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhms 3,2 A, 4,5 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1,5 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 7,4 nC 4,5 V | |
Vg (Max) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF 10 V | |
Fonction FET | Diode Schottky (isolée) | |
Dissipation de puissance (maximale) | 1.1W (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | ChipFET™ | |
Paquet/caisse |
Liste de produits :
Nom du produit : électronique de puissance MOSFET NTHD3101FT1G
Fabricant : Onsemi
Paquet: 8-SMD
Paramètres:
• VDSS : -30 V
• RDS (activé) : 0,006 Ω
• ID : -30 A
• Qg : 9 nC
• Capacité d'entrée (Ciss) : 327 pF
• Capacité de sortie (coss) : 35 pF
• Fréquence de transition (pi) : 8 GHz
• Courant de drainage pulsé (IDM) : -60 A
• Tension de seuil (VGS(th)) : -2,3 V
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Transistor électronique de puissance MOSFET NTHD3101FT1G 8-SMD pour les applications de commutation haute fréquence
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