NVTA7002NT1G Électronique de puissance MOSFET Mode d'amélioration canal N SC-75 600V 4.3A 17.3mΩ RDS
Number modèle:NVTA7002NT1G
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Détails du produit
Électronique de puissance MOSFET NVTA7002NT1G
Mode d'amélioration du canal N SC-75 600 V 4,3 A 17,3 mΩ RDS
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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2.5V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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7 Ohms à 154 mA, 4,5 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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1,5 V à 100 µA
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Vg (Max)
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±10V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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20 pF à 5 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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300mW (Tj)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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SC-75, SOT-416
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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VNAT7002NT1gestundoubleN-canaliserMSEFHE(métal-oxyde-semicroconducteurchampeffettransistor)depuisSURSémiqueconducteur.Ilestuntrèsfaiblesur-résolutiondistance,faibleportailcharge,faibleportail-sourcechargePouvoirMSEFHEdansunpetitCS-75emballer.Ilaundrain-sourcetensionnotationde60Vetunmaximumdrainactuelde0.7UN.Ilestidéalpourutiliserdanshautvitessecommutationapplicationsetfournitexcellentcommutationperformance.Ilaunultra-faiblesur-résolutiondistancede0.00045OhSPetunfaibleportailchargede5.2nC.LeMSEFHEestRoSHconformeetestadaptépourunlargegammedeapplicationsy comprispouvoirgestion,l'audioampliifiersetbatteriegestionsystèmes.
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NVTA7002NT1G Électronique de puissance MOSFET Mode d'amélioration canal N SC-75 600V 4.3A 17.3mΩ RDS
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