FDPF33N25T MOSFET Electronique de Puissance TO-220-3 Module de Transistor de Mode d'Amélioration de Canal N
Number modèle:FDPF33N25T
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Détails du produit
FDPF33N25JMOSFET Electronique de Puissance TO-220-3 Module de Transistor de Mode d'Amélioration de Canal N
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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94 mOhms à 16,5 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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5V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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48 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±30V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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2135 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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37W (TC)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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TO-220F-3
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Paquet/caisse
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Numéro de produit de base
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LeFDPF33N25JestunPOUR-220-3emballéN-canaliserMSEFHE(MétalBœufidéeSémiqueconducteurChampEffetTransistor)conçupourpouvoircommutationapplications.Ceappareilcaractéristiquesunfaiblesur-Étatrésistance(RDS(SUR))etunrapidecommutationtemps.Ilesten particulieradaptépourhaut-fréquencecommutationapplications,avecunmaximumen fonctionnementfréquencede5MHz.Leportail-sourcetension(VGS)gammeestdepuis-20Vpour+20V,etledrain-sourcetension(VDS)gammeestdepuis0Vpour25V.Lemaximumpouvoirinsulteripationesten hautpour33O,etlemaximumdrainactuel(IDENTIFIANT)esten hautpour25UN.CeappareilestaussiRoSHconformeetmener-gratuit,fabricationilunidéalchoixpourenvironnementalamicalapplications.
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