Paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NVGS4141NT1G 6-TSOP pour le N-canal 30 V 3.5A (ventres) 500mW (ventres) d'applications élevée de puissance
Number modèle:NVGS4141NT1G
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Paquet de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NVGS4141NT1G 6-TSOP pour le N-canal 30 V 3.5A (ventres) 500mW (ventres) d'applications élevée de puissance
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 25mOhm @ 7A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 12 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 560 PF @ 24 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 500mW (ventres) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 6-TSOP | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
Nom de produit : SUR l'électronique de puissance de transistor
MOSFET du semi-conducteur NVGS4141NT1G
Type de paquet : 6-TSOP
Fabricant : SUR le semi-conducteur
Type de produit : L'électronique de puissance de transistor MOSFET
Paramètres :
Tension de Drain-source (Vdss) : 30 V
Tension de Porte-source (Vgs) : ±20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25° C : 4.1A
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : 0,91 ohms @ 4.1A,
10V
Capacité d'entrée (Ciss) @ Vds : 800pF @ 10V
Puissance - maximum : 8W
Montage du type : Bti extérieur
Température de fonctionnement : -55°C | 150°C (TJ)
Paquet/cas : 6-TSOP (0,173", largeur de 4.40mm)
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