NVTR0202PLT1G MOSFET électronique de puissance double canal N Mode d'amélioration Transistor à effet de champ 20V 2A TO-236-3 paquet
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Électronique de puissance MOSFET NVTR0202PLT1G
Transistor effet de champ double canal N en mode d'amélioration 20V
2A TO-236-3
Type FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) | |
Tension drain source (Vdss) | ||
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhms 200 mA, 10 V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2,3 V 250 µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2,18 nC 10 V | |
Vg (Max) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 70 pF 5 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (maximale) | 225mW (Ta) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Ensemble d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquet/caisse |
LeVNTR0202PLJ1gestunP-CanaliserRenforcementModeVerticalChamp-EffetTransistor(VFHE),quiestconçuspécifiquementpourhaut-fréquence,faible-voltgeapplications.Ceappareilestconstruiten utilisantuntrèsfiableMSEFHEprocessus,quifournitfaiblesur-Étatrésistanceetexcellentcommutationperformance.LeappareilestlogédansunPOUR-236-3emballeretfournitunfaible-voltgeopérationgammede-0.2Vpour-20Vetunfaibleportail-sourceseuiltensionde-0.5V.Ilestidéalpourhaut-fréquencecommutationcircuitsetfournithautactuelmanutentionaptitude.Leappareilaussides offressupérieurpouvoirefficacité,faibleEMI,etminimalpouvoirinsulteripation.
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