FDB8447L MOSFET 40V 50A en mode d'amélioration de canal N haute performance

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FBD8447LMode d'amélioration du canal N haute performance MOSFET 40V 50A

Tension drain source (Vdss)
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8,5 mOhms 14 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC 10 V
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
2620 pF 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
3,1 W (Ta), 60 W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Ensemble d'appareils du fournisseur
D²PAK (TO-263)

Liste de produits :

ON Semiconductor FDB8447L Électronique de puissance MOSFET


Caractéristiques:

• RDS ultra faible (ON)

• Haute efficacité et faible EMI

• Performances d'avalanche améliorées

• Charge de porte ultra faible

• Capacité haute fréquence

• Conforme RoHS


Applications:

• Alimentation de la carte graphique

• Applications automobiles

• Convertisseurs CC-CC haute fréquence

• Amplificateurs faible bruit

• Alimentation usage général


Caractéristiques:

• Tension nominale : 40 V

• Courant de drain continu : 40 A

• Résistance : 7 mΩ

• Dissipation de puissance : 30 W

• Plage de températures de fonctionnement : -55 °C 150 °C

• Type de montage : montage en surface


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FDB8447L MOSFET 40V 50A en mode d'amélioration de canal N haute performance

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