NTMFS5C404NLT1G MOSFET Électronique de puissance 8-PowerTDFN Tension N-Channel MOSFET
Number modèle:NTMFS5C404NLT1G
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Détails du produit
NTMFS5C404NLT1gMSEFHEPouvoirÉlectronique8-PouvoirJDFNMOSFET de puissance à canal N de tension
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Type FET
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
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4.5V, 10V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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0,75 mOhms à 50 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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2V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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181 nC à 10 V
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Vg (Max)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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12168 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Dissipation de puissance (maximale)
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3,2 W (Ta), 167 W (Tc)
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Température de fonctionnement
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-55°C ~ 175°C (TJ)
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Type de montage
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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5-DFN (5x6) (8-SOFL)
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Paquet/caisse
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LeNMTFS5C404NLT1gestunavancépouvoirMSEFHEdepuisSURSémiqueconducteur.Ilestunfaible-erestenir,seulN-canaliserrenforcement-modeMSEFHElogédansun8-brochePouvoirJDFNemballer.CeMSEFHEaunmaximumdrainsourcetensionde40V,unmaximumdrainactuelde8UN,etunmaximumdrain-sourcesur-résolutiondistancede4mΩ.
Ilestconçupourfonctionneràunmaximumjonctiontempératurede150°Cetpeutlivrerhautefficacitépouvoirgestiondansunlargegammedeapplications,y comprisCC/CCconvertirtermes,pouvoirfournitures,donnéescommutateurs,etmoteurcontrôle.En outre,ceappareilcaractéristiquesfaibleportailchargeetfaiblesaisiretsortircapacitéitance,fabricationilidéalpourutiliserdanshaut-fréquencecommutationapplications.
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