Électronique de puissance MOSFET canal N - FDMS8025S avec technologie d'efficacité et de fiabilité supérieures 30 V 24 A (Ta)

Technologie	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain source (Vdss)	30V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	24A (Ta), 49A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2,8 mOhms 24 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC 10 V
Vg (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (maximale)	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet/caisse	8-PowerTDFN

Liste de produits :

MOSFET en mode d'amélioration du canal N FDMS8025S

Fabricant : ON Semiconductor

Paramètres:

• Tension drain-source : -20 V

• Courant de drain continu : -25 A

• RDS (activé) : -25 mOhms

• Dissipation de puissance : -60 W

• Température de fonctionnement : -55 °C +150 °C

• Conditionnement : -TO-263

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