L'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de FDMS8023S pour les applications de changement 30V 49A de rendement élevé
Number modèle:FDMS8023S
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Détails du produit
L'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de
FDMS8023S pour les applications de changement 30V 49A de rendement
élevé
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | |
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 2.4mOhm @ 26A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 1mA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 57 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3550 PF @ 15 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 2.5W (merci), 59W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | 8-PQFN (5x6) | |
Paquet/cas |
Liste de produit :
Nom de produit : SUR le transistor MOSFET de puissance de N-canal du semi-conducteur FDMS8023S
Description : Le FDMS8023S est un transistor MOSFET de puissance de N-canal de SUR semi-conducteur. Il est conçu pour fournir la basse résistance de sur-état et la vitesse de changement rapide, et inclut une diode intégrée de protection de porte.
Caractéristiques :
- Basse résistance de Sur-état
- Vitesse de changement rapide
- Inclut une diode intégrée de protection de porte
Caractéristiques :
- Estimation de tension : 30V
- Estimation actuelle : 30A
- Dissipation de puissance : 4.1W
- Chaîne de température de fonctionnement : -55°C 150°C
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