Les applications TO-236-3 de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de BSS123L ont empaqueté le transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal

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Applications de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de BSS123L
TO-236-3 a empaqueté le transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N-canal

 

 

 

 

Type de FET
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
2,5 OR @ 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
21,5 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
360mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3
Paquet/cas

 

 

 

BSS 123L est un transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de N-canal, emballé dans le paquet TO-236-3. Il est conçu avec la basse sur-résistance et excellente la représentation de changement, le rendant approprié à un large éventail d'applications. Le transistor MOSFET comporte une charge optimisée de porte et un seuil amélioré de tension de porte-source, qui tient compte d'un meilleur contrôle et d'une efficacité améliorée. Il offre également de basses capacités, assurant de basses pertes de changement.

 

 

 

Le paquet est compatible avec le processus extérieur de bâti, tenant compte de l'intégration facile dans des conseils ou d'autres applications. Ce transistor MOSFET peut manipuler à forte intensité et la tension, le rendant approprié aux applications de haute puissance. C'est également RoHS conforme, lui faisant un choix favorable à l'environnement et fiable.

 

 

 

 

 

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