Transistor de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de Fairchild FCP190N60-GF102 pour des applications de changement ultra-rapides
Number modèle:FCP190N60-GF102
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Fairchild FCP 190N60- transistorde l'électronique de puissance de transistor MOSFET de N-canal de GF102 pour des applications de changement ultra-rapides
Vidangez la tension de source (Vdss) | ||
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | ||
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 199mOhm @ 10A, 10V | |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 250µA | |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 74 OR @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 2950 PF @ 25 V | |
Caractéristique de FET | - | |
Dissipation de puissance (maximum) | 208W (comité technique) | |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) | |
Montage du type | ||
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-220-3 | |
Paquet/cas |
Transistor MOSFET de puissance d'OnSemi FCP190N60-GF102
Description de produit :
L'OnSemi FCP190N60-GF102 est un transistor MOSFET de puissance de N-canal avec une tension évaluée de 60V, un courant continu de drain de 190A 25°C, et une tension maximum de drain-source de 500V. Le FCP190N60-GF102 est optimisé pour l'efficacité maximum et a une basse charge de porte de 20 OR typiques. Il comporte également une représentation améliorée du RDS (dessus) de 0.012Ω 25°C, et une capacité de manipulation forte intensité de 1.2A. En outre, le FCP190N60-GF102 a une température de fonctionnement maximum de 150°C et convient un large éventail d'applications, telles que des convertisseurs de DC-DC, l'électronique grand public, et des applications des véhicules moteur.
Caractéristiques :
• Tension évaluée : 60V
• Courant continu de drain : 190A 25°C
• Tension maximum de Drain-source : 500V
• Charge de porte : 20 OR typiques
• Le RDS (dessus) : 0.012Ω 25°C
• Manipulation forte intensité : 1
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