Applications d'amplification de commutation de solution du transistor TO-236-3 de transistor MOSFET de N-canal de l'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR4003NT1G
Number modèle:NTR4003NT1G
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L'électronique de puissance de transistor MOSFET de NTR4003NT1G
Applications d'amplification de commutation de solution du transistor TO-236-3 de transistor MOSFET de N-canal
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Type de FET
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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2.5V, 4V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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1.5Ohm @ 10mA, 4V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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1.4V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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OR 1,15 @ 5 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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21 PF @ 5 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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690mW (ventres)
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Température de fonctionnement
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-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-23-3 (TO-236)
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Paquet/cas
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Le NTR 4003 NT1G est un transistor MOSFET de puissance de mode d'amélioration de P-canal avec un paquet TO-236-3. Il est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état et pour fournir la représentation de changement supérieure.
Le dispositif a une tension de fonctionnement de drain-source de -20 V et un courant continu de drain de -3 A. Il convient pour l'usage dans la basse tension, inverseurs à haute fréquence, libère le roulement, et les applications de protection de polarité. Le dispositif est également RoHS conforme et halogène libre. Le NTR 4003 NT1G est garanti pour fournir l'opération fiable sur une température ambiante large du °C -55 à +150°C.
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